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Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince

  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
Lieu d'origine Shandong
Nom de marque ZKTD
Certification SGS, ISO
Numéro de modèle Produit d'origine
Quantité de commande min 1 PCS
Prix USD 50-150 /Pcs
Détails d'emballage Boîte en bois, cartons, coton perlé
Délai de livraison 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement L/C,T/T
Capacité d'approvisionnement 100 pièces par semaine
Détails sur le produit
Taille OEM MOQ 1 pièces
Nom Porteur de plaquette à semi-conducteurs
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transporteur de gaufrette de semi-conducteur de quartz fondu

,

transporteur ultra mince de gaufrette de semi-conducteur

,

transporteur ultra mince de gaufrette de silicium de semi-conducteur
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Description de produit

Appareil à quartz Fusée à quartz semi-conducteur porteuse de gaufres ultra-mince


Caractéristiques du produit:

C'est propre et propre.

Homogénéité élevée

Résistant aux températures élevées

Transmission lumineuse élevée

Attaque anti-chimique


Température de fonctionnement:

Température de fonctionnement régulière: 1000°C

Température de fonctionnement à court terme:1100°C

température maximale de fonctionnement instantanée:1300°C


Propriété mécanique:

Propriété mécanique Valeur de référence Propriété mécanique Valeur de référence
Densité 2.203 g/cm3 Indice de réfraction 1.45845
Résistance à la compression >Pour les appareils électroniques Coefficient de dilatation thermique 5.5×10-7 cm par cm.°C
Résistance à la flexion Pour les appareils électroniques Température de travail à chaud 1750 ~2050°C
Résistance à la traction 48.3Mpa La température pendant une courte période 1300°C
Le rapport de Poisson 0.14 ~0.17 La température pendant longtemps 1100°C
Module élastique 71700 Mpa Résistance 7 × 107Ω.cm
Module de tonte 31000Mpa Résistance diélectrique 250 ~400 Kv/cm
Dureté des mites 5.3 ~6.5(Écaille des mites) Constante diélectrique 3.7 ~3.9
Point de déformation 1280°C Coefficient d'absorption diélectrique Le montant de la subvention est calculé à partir du montant de la subvention.
Température spécifique350°C) 670J/kg°C Coefficient de perte diélectrique Le montant de la subvention est calculé en fonction de l'évolution de la situation.
Conductivité thermique°C) 1.4 W/m°C


Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince 0

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