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Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince

  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
  • Quartz Apparatus Fused Quartz Semiconductor Wafer Carrier Ultra Thin
Lieu d'origine Shandong
Nom de marque ZKTD
Certification SGS,ISO
Numéro de modèle Produit d'origine
Quantité de commande min 1 PCS
Prix USD 50-150 /Pcs
Détails d'emballage Boîte en bois, cartons
Délai de livraison 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement L/C,T/T
Capacité d'approvisionnement 100000 PCs/semaine

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Détails sur le produit
Taille Produit d'origine Nombre de pièces 1 pièces
Nom Porteur de plaquette à semi-conducteurs
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transporteur de gaufrette de semi-conducteur de quartz fondu

,

transporteur ultra mince de gaufrette de semi-conducteur

,

transporteur ultra mince de gaufrette de silicium de semi-conducteur
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Description de produit

Appareil en quartz Quartz de silice pour support de plaquettes de semi-conducteurs ultra-minces


Caractéristiques des produits :

Clair et propre,

Haute homogénéité

Résistant aux hautes températures

Haute transmission de la lumière

Anti-attaque chimique


Température de fonctionnement :

Température de fonctionnement régulière : 1000°C

Température de fonctionnement à court terme : 1100°C

Température maximale de fonctionnement instantané : 1300°C


Propriété mécanique:

Propriété mécanique Valeur de référence Propriété mécanique Valeur de référence
Densité 2.203g/cm3 Indice de réfraction 1.45845
Résistance à la compression >1100Mpa Coefficient de dilatation thermique 5.5×10-7cm/cm.°C
Résistance à la flexion 67Mpa Température de travail à chaud 1750~2050°C
Résistance à la traction 48.3Mpa La température pendant une courte durée 1300°C
Coefficient de Poisson 0.14~0.17 La température pendant une longue durée 1100°C
Module d'élasticité 71700Mpa Résistivité 7×107Ω.cm
Module de cisaillement 31000Mpa Résistance diélectrique 250~400Kv/cm
Dureté Mohs 5.3~6.5(Échelle de Mohs) Constante diélectrique 3.7~3.9
Point de déformation 1280°C Coefficient d'absorption diélectrique <4×104
Chaleur spécifique (20~350°C) 670J/kg °C Coefficient de perte diélectrique <1×104
Conductivité thermique (20°C) 1.4W/m °C


Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince 0

Appareil en quartz Quartz fondu Support de plaquette de semi-conducteur Ultra mince 1

Étiquettes:

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